Numărul de produs al producătorului:
SI1073X-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI1073X-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 980mA (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventar:
12914871
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI1073X-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
980mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
173mOhm @ 980mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
265 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
236mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SC-89 (SOT-563F)
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Numărul de bază al produsului
SI1073
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI1073X-T1-GE3TR
SI1073XT1GE3
SI1073X-T1-GE3CT
SI1073X-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SSM6J207FE,LF
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
3995
DiGi NUMĂR DE PARTE
SSM6J207FE,LF-DG
PREȚ UNIC
0.08
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI7322DN-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
IRFU9220
MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
SI7380ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
