Numărul de produs al producătorului:
SI1072X-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI1072X-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V SC89-6
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 1.3A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Inventar:
12913917
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI1072X-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
93mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
280 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
236mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SC-89 (SOT-563F)
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Numărul de bază al produsului
SI1072
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI1070X-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
923
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI1070X-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.13
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SSM6K202FE,LF
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
21141
DiGi NUMĂR DE PARTE
SSM6K202FE,LF-DG
PREȚ UNIC
0.12
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4170DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
IRFR120TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
IXFK220N17T2
MOSFET N-CH 170V 220A TO264AA
