Numărul de produs al producătorului:
SI1032X-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI1032X-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Inventar:
12913809
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI1032X-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
0.75 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±6V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SC-89-3
Pachet / Carcasă
SC-89, SOT-490
Numărul de bază al produsului
SI1032
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI1032XT1E3
SI1032X-T1-E3TR
SI1032X-T1-E3CT
SI1032X-T1-E3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI1032X-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
6434
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI1032X-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.11
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
FDY301NZ
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
312
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDY301NZ-DG
PREȚ UNIC
0.15
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI1422DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
IRFZ48PBF
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
SI2338DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
