Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IRLL014TRPBF
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRLL014TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 2.7A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventar:
15748 Piese Noi Originale În Stoc
12913341
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRLL014TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.4 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-223
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Numărul de bază al produsului
IRLL014
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IRLL014TRPBF-DG
Fișe tehnice
IRLL014TRPBF
Informații suplimentare
Alte nume
*IRLL014TRPBF
IRLL014PBFTR
IRLL014PBFDKR
IRLL014PBFCT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFZ10PBF
MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
IRFPS43N50K
MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247
IRLR110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
SI8823EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4MICRO FOOT