Numărul de produs al producătorului:
IRL630STRLPBF
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRL630STRLPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12913102
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRL630STRLPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IRL630
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRL630STRLPBFTR
IRL630STRLPBFDKR
IRL630STRLPBFCT
IRL630STRLPBF-DG
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RCJ120N20TL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
33
DiGi NUMĂR DE PARTE
RCJ120N20TL-DG
PREȚ UNIC
0.44
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4858DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
SI4866DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
SI7315DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
