Numărul de produs al producătorului:
IRL520PBF-BE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRL520PBF-BE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
1244 Piese Noi Originale În Stoc
12978007
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRL520PBF-BE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 5.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
490 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRL520
Informații suplimentare
Alte nume
742-IRL520PBF-BE3
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MSJU11N65A-TP
N-CHANNEL MOSFET, DPAK
SI1401EDH-T1-BE3
MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6
IRFR210PBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK