IRL510S

Numărul de produs al producătorului:

IRL510S

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

IRL510S-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

Descriere detaliată:

N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

RFQ Online

12906777

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRL510S Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Vishay

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

5.6A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 3.4A, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

6.1 nC @ 5 V

Vgs (Max)

±10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

250 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

3.7W (Ta), 43W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

TO-263 (D2PAK)

Pachet / Carcasă

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Numărul de bază al produsului

IRL510

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

*IRL510S

Pachet standard

50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

RoHS non-compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

vishay-siliconix

IRFR9220TRR

MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK

vishay-siliconix

2N6660JTXL02

MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD

vishay-siliconix

IRF9640PBF

MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB

vishay-siliconix

IRFU024PBF

MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA