Numărul de produs al producătorului:
IRL510L
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRL510L-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) Through Hole TO-262-3
Inventar:
12905194
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRL510L Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 3.4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262-3
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IRL510
Informații suplimentare
Alte nume
*IRL510L
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFT24N90P
MOSFET N-CH 900V 24A TO268
ZVP2110ASTOB
MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE
IXTY08N100P
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
