IRL2203STRR

Numărul de produs al producătorului:

IRL2203STRR

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

IRL2203STRR-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 100A (Tc) 3.8W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

RFQ Online

12912482

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRL2203STRR Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Vishay

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Discontinued at Digi-Key

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

110 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3500 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

3.8W (Ta), 130W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

TO-263 (D2PAK)

Pachet / Carcasă

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Numărul de bază al produsului

IRL2203

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

800

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

RoHS non-compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

vishay-siliconix

IRLR024TRPBF

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

vishay-siliconix

SI2341DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

vishay-siliconix

SI2319DS-T1-E3

MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

littelfuse

IXFE48N50QD3

MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B