IRFSL11N50APBF
Numărul de produs al producătorului:

IRFSL11N50APBF

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

IRFSL11N50APBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262-3

Inventar:

RFQ Online
12961241
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRFSL11N50APBF Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1426 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
190W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262-3
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IRFSL11

Informații suplimentare

Alte nume
*IRFSL11N50APBF
Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SIRA00DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIA485DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70

vishay-siliconix

SUD25N15-52-E3

MOSFET N-CH 150V 25A TO252

vishay-siliconix

SI7440DP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8