Numărul de produs al producătorului:
IRFR110TRPBF-BE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFR110TRPBF-BE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
1850 Piese Noi Originale În Stoc
12939331
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFR110TRPBF-BE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
180 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IRFR110
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-IRFR110TRPBF-BE3DKR
742-IRFR110TRPBF-BE3TR
742-IRFR110TRPBF-BE3CT
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFR110TRPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
7272
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFR110TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.33
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
APT12080LVRG
MOSFET N-CH 1200V 16A TO264
IRF830PBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
IRF740PBF-BE3
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
