Numărul de produs al producătorului:
IRFPF50PBF
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFPF50PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 6.7A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
466 Piese Noi Originale În Stoc
12906716
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFPF50PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
190W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IRFPF50
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRFPF50PBF
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
ZVN4424ASTZ
MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE
IRFUC20
MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
IXFP12N50PM
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
