Numărul de produs al producătorului:
IRFI734G
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFI734G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 450 V 3.4A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12912857
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFI734G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
450 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
680 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
35W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
IRFI734
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRFI734G
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK8A45D(STA4,Q,M)
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK8A45D(STA4,Q,M)-DG
PREȚ UNIC
0.54
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4104DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 4.6A 8SO
IRFD010
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP
SI7366DP-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8