Numărul de produs al producătorului:
IRFD120
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFD120-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventar:
12911956
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFD120 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 780mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
360 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
4-HVMDIP
Pachet / Carcasă
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Numărul de bază al produsului
IRFD120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRFD120
IRFD122
IRFD121
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFD120PBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
5890
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFD120PBF-DG
PREȚ UNIC
0.47
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
IRFD123PBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
6628
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFD123PBF-DG
PREȚ UNIC
0.47
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFQ14N80P
MOSFET N-CH 800V 14A TO3P
IXTA180N085T7
MOSFET N-CH 85V 180A TO263-7
IRFR214TRL
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
