Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IRFBG20
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFBG20-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 1.4A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
RFQ Online
12910283
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFBG20 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
54W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRFBG20
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IRFBG20-DG
Fișe tehnice
IRFBG20
Informații suplimentare
Alte nume
*IRFBG20
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTP1R4N100P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP1R4N100P-DG
PREȚ UNIC
1.78
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRFBG20PBF-BE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1770
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFBG20PBF-BE3-DG
PREȚ UNIC
0.69
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
IXTP1N100P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
142
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP1N100P-DG
PREȚ UNIC
1.14
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP2NK100Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
738
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP2NK100Z-DG
PREȚ UNIC
1.37
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRFBG20PBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1421
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFBG20PBF-DG
PREȚ UNIC
0.68
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFU110
MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
IRF744L
MOSFET N-CH 450V 8.8A I2PAK
IRFSL9N60ATRL
MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
IRFR9210PBF
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK