IRFBC40ASPBF

Numărul de produs al producătorului:

IRFBC40ASPBF

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

IRFBC40ASPBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Descriere detaliată:

N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

147 Piese Noi Originale În Stoc

12881593

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRFBC40ASPBF Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Vishay

Ambalare

Tube

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

600 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

6.2A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

42 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1036 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

125W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

TO-263 (D2PAK)

Pachet / Carcasă

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Numărul de bază al produsului

IRFBC40

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

IRFBC40ASPBF-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

*IRFBC40ASPBF

Pachet standard

50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

vishay-siliconix

IRFI614GPBF

MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220-3

vishay-siliconix

IRFI730GPBF

MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220-3

vishay-siliconix

IRFPC50LCPBF

MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

stmicroelectronics

STS9NF30L

MOSFET N-CH 30V 9A 8SO