Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IRF9Z34STRL
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF9Z34STRL-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
RFQ Online
12912880
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF9Z34STRL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.7W (Ta), 88W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IRF9
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IRF9Z34STRL-DG
Fișe tehnice
IRF9Z34STRL
Informații suplimentare
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF9Z34STRRPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
398
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF9Z34STRRPBF-DG
PREȚ UNIC
1.20
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
SIHF9Z34STRL-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
732
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIHF9Z34STRL-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.57
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
IRF9Z34STRLPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
5359
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF9Z34STRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.79
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
SPB18P06PGATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2030
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPB18P06PGATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.44
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRF9Z34NSTRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2148
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF9Z34NSTRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.46
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4480DY-T1-E3
MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
IXFP4N85X
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
SI8407DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 5.8A 6MICRO FOOT
SI7804DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8