Numărul de produs al producătorului:
IRF9Z24PBF
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF9Z24PBF-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 11A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
7101 Piese Noi Originale În Stoc
12913941
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
Nu4e
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF9Z24PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
570 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRF9Z24
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2266-IRF9Z24PBF
*IRF9Z24PBF
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLR110TRR
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
SI7100DN-T1-E3
MOSFET N-CH 8V 35A PPAK1212-8
SI7374DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
