Numărul de produs al producătorului:
IRF9Z14STRR
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF9Z14STRR-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12842855
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF9Z14STRR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IRF9Z14
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF9Z14STRLPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
766
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF9Z14STRLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.67
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
IRF5210STRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
7933
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF5210STRLPBF-DG
PREȚ UNIC
1.26
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MCH6320-TL-E
MOSFET P-CH 12V 3.5A 6MCPH
NVMFS5C460NLT3G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
NTGS3443T1G
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP