Numărul de produs al producătorului:
IRF9Z10PBF-BE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF9Z10PBF-BE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
862 Piese Noi Originale În Stoc
12945842
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF9Z10PBF-BE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
43W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRF9Z10
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-IRF9Z10PBF-BE3
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR1N60ATRPBF-BE3
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
IRF9Z24PBF-BE3
MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
IRF740LCPBF-BE3
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
