Numărul de produs al producătorului:
IRF840LCSTRL
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF840LCSTRL-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12912963
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF840LCSTRL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IRF840
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDB12N50TM
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
1
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDB12N50TM-DG
PREȚ UNIC
0.91
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB11NK50ZT4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
872
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB11NK50ZT4-DG
PREȚ UNIC
1.34
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFI9634GPBF
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3
IRF9630PBF
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
IXFA4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 4A TO263