IRF840APBF-BE3

Numărul de produs al producătorului:

IRF840APBF-BE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

IRF840APBF-BE3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

Descriere detaliată:

N-Channel 500 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

1425 Piese Noi Originale În Stoc

12953815

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRF840APBF-BE3 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Vishay

Ambalare

Tube

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

500 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

8A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

38 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1018 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

125W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-220AB

Pachet / Carcasă

TO-220-3

Numărul de bază al produsului

IRF840

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

742-IRF840APBF-BE3

Pachet standard

1,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

Vendor Undefined

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

vishay-siliconix

IRFBC40ASTRRPBF

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

onsemi

NVTFS024N06CTAG

MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN

vishay-siliconix

IRF624S

MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

SUD50P04-08-E3

MOSFET P-CH 40V DPAK