Numărul de produs al producătorului:
IRF710
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF710-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 400 V 2A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12952324
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF710 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
400 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
170 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
36W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRF710
Fișa de date și documente
Informații suplimentare
Alte nume
*IRF710
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF710PBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
6746
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF710PBF-DG
PREȚ UNIC
0.37
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN6013LFGQ-13
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
SIB414DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6
SUP60N06-12P-E3
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
