IRF644SPBF
Numărul de produs al producătorului:

IRF644SPBF

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

IRF644SPBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 14A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

433 Piese Noi Originale În Stoc
12906341
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRF644SPBF Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IRF644

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
*IRF644SPBF
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

IRF540L

MOSFET N-CH 100V 28A TO262

vishay-siliconix

IRF840PBF

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

vishay-siliconix

IRFBF30L

MOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAK

vishay-siliconix

IRFIB6N60A

MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3