IRF640SPBF

Numărul de produs al producătorului:

IRF640SPBF

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

IRF640SPBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Descriere detaliată:

N-Channel 200 V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

309 Piese Noi Originale În Stoc

12881336

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRF640SPBF Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Vishay

Ambalare

Tube

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

200 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

18A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

70 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1300 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

3.1W (Ta), 130W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

TO-263 (D2PAK)

Pachet / Carcasă

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Numărul de bază al produsului

IRF640

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

vishay-siliconix

IRFI634G

MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220-3

stmicroelectronics

STL75N3LLZH5

MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT

stmicroelectronics

STP75N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 75A TO220

nexperia

PHT6NQ10T,135

MOSFET N-CH 100V 3A SOT223