Numărul de produs al producătorului:
IRF640PBF-BE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF640PBF-BE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
154 Piese Noi Originale În Stoc
12972826
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF640PBF-BE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRF640
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-IRF640PBF-BE3
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SPP1421DMR2G
MOSFET N-CH SMD
NDP5060
NDP5060 - 26A, 60V, 0.05OHM, N-C
PJQ5443-AU_R2_000A1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
