Numărul de produs al producătorului:
IRF630L
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF630L-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 9A (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12905140
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF630L Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IRF630
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRF630L
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
ZXMP7A17KTC
MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252-3
ZVN3310FTC
MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3
RCX510N25
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220FM
