IRC840PBF
Numărul de produs al producătorului:

IRC840PBF

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

IRC840PBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 500V 8A TO220-5
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-5

Inventar:

12912150
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRC840PBF Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Current Sensing
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-5
Pachet / Carcasă
TO-220-5
Numărul de bază al produsului
IRC840

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
*IRC840PBF
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SI1058X-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 1.3A SC89-6

vishay-siliconix

SI4684DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16A 8SO

vishay-siliconix

SI3454ADV-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 3.4A 6TSOP

vishay-siliconix

IRFU1N60A

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA