Numărul de produs al producătorului:
IRC840PBF
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRC840PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220-5
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-5
Inventar:
12912150
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRC840PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Current Sensing
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-5
Pachet / Carcasă
TO-220-5
Numărul de bază al produsului
IRC840
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRC840PBF
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI1058X-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 1.3A SC89-6
SI4684DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
SI3454ADV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.4A 6TSOP
