IRC540PBF
Numărul de produs al producătorului:

IRC540PBF

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

IRC540PBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 28A TO220-5
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 28A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-5

Inventar:

12954966
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRC540PBF Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Current Sensing
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-5
Pachet / Carcasă
TO-220-5
Numărul de bază al produsului
IRC540

Informații suplimentare

Alte nume
*IRC540PBF
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SQ4153EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC

onsemi

FCPF380N60E-F154

MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3

infineon-technologies

IPD90P04P405ATMA2

MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

renesas-electronics-america

H5N2305P-E

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR