Numărul de produs al producătorului:
2N7002-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
2N7002-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount TO-236
Inventar:
5188 Piese Noi Originale În Stoc
12905649
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2N7002-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
115mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
200mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-236
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
2N7002
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2N7002-T1-E3TR
2N7002-T1-E3DKR
2N7002-T1-E3-DG
2N7002-T1-E3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFD210
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
ZVN2110GTA
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
IRFR110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
