Numărul de produs al producătorului:
FB180SA10
Product Overview
Producător:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
DiGi Electronics Cod de parte:
FB180SA10-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 480W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Inventar:
12843939
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
FB180SA10 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 108A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
380 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
10700 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
480W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
FB180
Informații suplimentare
Alte nume
VS-FB180SA10-DG
VS-FB180SA10
VSFB180SA10-DG
*FB180SA10
VSFB180SA10
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NDP4060L
MOSFET N-CH 60V 15A TO220-3
AONR21117
MOSFET P-CH 20V 26.5A/34A 8DFN
NVMFS6B03NLT1G
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN