Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
TPH3207WS
Product Overview
Producător:
Transphorm
DiGi Electronics Cod de parte:
TPH3207WS-DG
Descriere:
GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 50A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
RFQ Online
13445537
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TPH3207WS Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Transphorm
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 32A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.65V @ 700µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±18V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2197 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
178W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SIHG73N60AE-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIHG73N60AE-GE3-DG
PREȚ UNIC
5.23
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
TP65H035WS
PRODUCĂTOR
Transphorm
CANTITATE DISPONIBILĂ
863
DiGi NUMĂR DE PARTE
TP65H035WS-DG
PREȚ UNIC
12.32
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STW65N65DM2AG
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
393
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW65N65DM2AG-DG
PREȚ UNIC
5.65
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTH80N65X2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTH80N65X2-DG
PREȚ UNIC
8.12
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXKH70N60C5
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
301
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXKH70N60C5-DG
PREȚ UNIC
14.49
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPH3202PS
GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
TPH3205WSB
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
TPH3208PD
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
TPH3206LD
GANFET N-CH 600V 17A PQFN