Numărul de produs al producătorului:
TPH3206LSGB
Product Overview
Producător:
Transphorm
DiGi Electronics Cod de parte:
TPH3206LSGB-DG
Descriere:
GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Inventar:
13275977
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TPH3206LSGB Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Transphorm
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
8V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±18V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
720 pF @ 480 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
81W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
3-PQFN (8x8)
Pachet / Carcasă
3-PowerDFN
Informații suplimentare
Alte nume
1707-TPH3206LSGB
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TP65H150G4LSG
PRODUCĂTOR
Transphorm
CANTITATE DISPONIBILĂ
2939
DiGi NUMĂR DE PARTE
TP65H150G4LSG-DG
PREȚ UNIC
2.18
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPA029N06NM5SXKSA1
MOSFET N-CH 60V 87A TO220
IPB60R070CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
BSZ039N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON