Numărul de produs al producătorului:
TP65H070G4PS
Product Overview
Producător:
Transphorm
DiGi Electronics Cod de parte:
TP65H070G4PS-DG
Descriere:
GANFET N-CH 650V 29A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 29A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
210 Piese Noi Originale În Stoc
12992579
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TP65H070G4PS Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Transphorm
Ambalare
Tube
Serie
SuperGaN®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.7V @ 700µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
638 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
96W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
1707-TP65H070G4PS
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
G80N03K
N30V, 80A,RD<6.5M@10V,VTH1.0V~2.
CMS13N06H8-HF
MOSFET N-CH 60V 56A 8DFN
COM-17396
NTP360N80S3Z SUPERFET III MOSFET