Numărul de produs al producătorului:
TP65H050G4YS
Product Overview
Producător:
Transphorm
DiGi Electronics Cod de parte:
TP65H050G4YS-DG
Descriere:
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventar:
450 Piese Noi Originale În Stoc
13259175
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TP65H050G4YS Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Transphorm
Ambalare
Tube
Serie
SuperGaN®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
132W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-4L
Pachet / Carcasă
TO-247-4
Informații suplimentare
Alte nume
1707-TP65H050G4YS
Pachet standard
450
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
GC030N65QF
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
GC20N65QD
MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
GC280N65F
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220F
