TP65H035G4WSQA
Numărul de produs al producătorului:

TP65H035G4WSQA

Product Overview

Producător:

Transphorm

DiGi Electronics Cod de parte:

TP65H035G4WSQA-DG

Descriere:

650 V 46.5 GAN FET
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventar:

293 Piese Noi Originale În Stoc
12968099
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

TP65H035G4WSQA Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Transphorm
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
47.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
187W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
1707-TP65H035G4WSQA
Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
fairchild-semiconductor

IRFS630B

9A, 200V, 0.4OHM, N-CHANNEL MOSF

sanyo

CPH3331-TL-E

P-CHANNEL SILICON MOSFET FOR GEN

vishay-siliconix

SIR5802DP-T1-RE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

nxp-semiconductors

PH3120L,115

NEXPERIA PH3120L - 100A, 20V, 0.