Numărul de produs al producătorului:
TP65H035G4WSQA
Product Overview
Producător:
Transphorm
DiGi Electronics Cod de parte:
TP65H035G4WSQA-DG
Descriere:
650 V 46.5 GAN FET
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
293 Piese Noi Originale În Stoc
12968099
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TP65H035G4WSQA Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Transphorm
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
47.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
187W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
1707-TP65H035G4WSQA
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFS630B
9A, 200V, 0.4OHM, N-CHANNEL MOSF
CPH3331-TL-E
P-CHANNEL SILICON MOSFET FOR GEN
SIR5802DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
