Numărul de produs al producătorului:
XPW6R30ANB,L1XHQ
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
XPW6R30ANB,L1XHQ-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 45A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventar:
762 Piese Noi Originale În Stoc
12939599
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
XPW6R30ANB,L1XHQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
45A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3240 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
960mW (Ta), 132W (Tc)
Temperatura
175°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-DSOP Advance
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
XPW6R30
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
XPW6R30ANB,L1XHQ(O
264-XPW6R30ANBL1XHQCT
264-XPW6R30ANBL1XHQTR
264-XPW6R30ANBL1XHQDKR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
XPH6R30ANB,L1XHQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
9174
DiGi NUMĂR DE PARTE
XPH6R30ANB,L1XHQ-DG
PREȚ UNIC
0.70
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK200F04N1L,LXGQ
MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
XPH4R714MC,L1XHQ
MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
TJ50S06M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
