Numărul de produs al producătorului:
TW083N65C,S1F
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TW083N65C,S1F-DG
Descriere:
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
162 Piese Noi Originale În Stoc
12986853
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TW083N65C,S1F Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
113mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 600µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
873 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
111W (Tc)
Temperatura
175°C
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
264-TW083N65CS1F
TW083N65C,S1F(S
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PJA3434-AU_R1_000A1
MOSFET 20V 750MA SOT-23
NXV90EPR
NXV90EP/SOT23/TO-236AB
PSMN6R3-120PS
PSMN6R3-120PS - N-CHANNEL 120V S
