Numărul de produs al producătorului:
TPN7R504PL,LQ
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TPN7R504PL,LQ-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 38A (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventar:
3126 Piese Noi Originale În Stoc
12920979
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TPN7R504PL,LQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2040 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
610mW (Ta), 61W (Tc)
Temperatura
175°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
TPN7R504
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
264-TPN7R504PLLQDKR
TPN7R504PL,LQ(S
264-TPN7R504PLLQTR
264-TPN7R504PLLQCT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPWR6003PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
TK110A10PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
SQ3410EV-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
