Numărul de produs al producătorului:
TPHR9003NL,L1Q
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TPHR9003NL,L1Q-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventar:
7302 Piese Noi Originale În Stoc
12891363
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TPHR9003NL,L1Q Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6900 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.6W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOP Advance (5x5)
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
TPHR9003
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TPHR9003NLL1QTR
TPHR9003NL,L1QCT
TPHR9003NL,L1QDKR
TPHR9003NL,L1QTR
TPHR9003NLL1QCT
TPHR9003NL,L1QDKR-DG
TPHR9003NLL1QDKR
TPHR9003NL,L1QCT-DG
TPHR9003NL,L1QTR-DG
TPHR9003NL,L1Q(M
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN1004UFV-7
MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
TPH5200FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
TJ15P04M3,RQ(S
MOSFET P-CH 40V 15A DPAK
