Numărul de produs al producătorului:
TPH9R00CQ5,LQ
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TPH9R00CQ5,LQ-DG
Descriere:
150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 64A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventar:
3785 Piese Noi Originale În Stoc
13005802
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TPH9R00CQ5,LQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSX-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5400 pF @ 75 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
210W (Tc)
Temperatura
175°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOP Advance (5x5)
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
264-TPH9R00CQ5,LQTR-DG
264-TPH9R00CQ5,LQCT-DG
264-TPH9R00CQ5,LQDKR
264-TPH9R00CQ5,LQDKR-DG
264-TPH9R00CQ5LQDKR
TPH9R00CQ5,LQ(M1
264-TPH9R00CQ5,LQCT
264-TPH9R00CQ5LQCT
264-TPH9R00CQ5,LQTR
264-TPH9R00CQ5LQTR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
GAN140-650EBEZ
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
XPJR6604PB,LXHQ
40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
PJQ4548VP-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
