Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
TPCF8402(TE85L,F,M
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TPCF8402(TE85L,F,M-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 4A, 3.2A 330mW Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Inventar:
RFQ Online
12890333
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TPCF8402(TE85L,F,M Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A, 3.2A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
470pF @ 10V
Putere - Max
330mW
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Pachet dispozitiv furnizor
VS-8 (2.9x1.5)
Numărul de bază al produsului
TPCF8402
Informații suplimentare
Alte nume
TPCF8402(TE85L,F)
TPCF8402FDKR
TPCF8402FCT
TPCF8402 (TE85L,F,M
TPCF8402FTR
TPCF8402(TE85L,F)-DG
TPCF8402TE85LFM
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI5504BDC-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
41930
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI5504BDC-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.34
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMC4047LSD-13
MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO
TPCP8203(TE85L,F)
MOSFET 2N-CH 40V 4.7A PS-8
TPC8223-H,LQ(S
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
SSM6N42FE(TE85L,F)
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6