Numărul de produs al producătorului:
TPC8115(TE12L,Q,M)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TPC8115(TE12L,Q,M)-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Inventar:
12890452
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TPC8115(TE12L,Q,M) Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
U-MOSIV
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9130 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOP (5.5x6.0)
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Numărul de bază al produsului
TPC8115
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPH3R203NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
SSM6J507NU,LF
MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
TK7A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7A TO220SIS
