Numărul de produs al producătorului:
TK8A10K3,S5Q
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK8A10K3,S5Q-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 8A (Ta) 18W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
12889463
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK8A10K3,S5Q Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
U-MOSIV
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
18W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
TK8A10
Informații suplimentare
Alte nume
TK8A10K3S5QM
TK8A10K3,S5Q,M
TK8A10K3S5Q
TK8A10K3S5QM-DG
TK8A10K3,S5Q(M
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK22A10N1,S4X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
29
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK22A10N1,S4X-DG
PREȚ UNIC
0.47
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SSM3J304T(TE85L,F)
MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
SSM3K337R,LF
MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
TK60D08J1(Q)
MOSFET N-CH 75V 60A TO220
