Numărul de produs al producătorului:
TK7R7P10PL,RQ
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK7R7P10PL,RQ-DG
Descriere:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 93W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
2099 Piese Noi Originale În Stoc
12920865
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK7R7P10PL,RQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.7mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
93W (Tc)
Temperatura
175°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
TK7R7P10
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
264-TK7R7P10PLRQCT
264-TK7R7P10PLRQTR
264-TK7R7P10PLRQDKR
TK7R7P10PL,RQ(S2
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK4K1A60F,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK2K2A60F,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK110E10PL,S1X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
