Numărul de produs al producătorului:
TK7A65W,S5X
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK7A65W,S5X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220SIS
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 6.8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
12891123
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK7A65W,S5X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
DTMOSIV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
780mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
490 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
30W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
TK7A65
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK7A65W,S5X(M
TK7A65WS5X
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTP4N70X2M
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
24
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP4N70X2M-DG
PREȚ UNIC
1.35
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STF9N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1988
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF9N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.53
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPC8042(TE12L,Q,M)
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TP89R103NL,LQ
MOSFET N CH 30V 15A 8SOP
TK35S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
