Numărul de produs al producătorului:
TK6A65W,S5X
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK6A65W,S5X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 5.8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
12889096
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK6A65W,S5X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
DTMOSIV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 180µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
390 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
30W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
TK6A65
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK6A65WS5X
TK6A65W,S5X(M
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPA60R950C6XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPA60R950C6XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.48
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP9NK65ZFP
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
68
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP9NK65ZFP-DG
PREȚ UNIC
0.65
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SSM6J207FE,LF
MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
DMP3017SFG-13
MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
TK14A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 14A TO220SIS
