Numărul de produs al producătorului:
TK6A45DA(STA4,Q,M)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK6A45DA(STA4,Q,M)-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 450V 5.5A TO220SIS
Descriere detaliată:
N-Channel 450 V 5.5A (Ta) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
28 Piese Noi Originale În Stoc
12890785
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK6A45DA(STA4,Q,M) Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
π-MOSVII
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
450 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
490 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
TK6A45
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK6A45DA(STA4QM)
TK6A45DASTA4QM
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFI830GPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
795
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFI830GPBF-DG
PREȚ UNIC
0.67
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPC6107(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS-6
TPC8092,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
2SJ168TE85LF
MOSFET P-CH 60V 200MA SC59
