Numărul de produs al producătorului:
TK65S04N1L,LQ
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK65S04N1L,LQ-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 65A (Ta) 107W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventar:
7976 Piese Noi Originale În Stoc
12891340
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK65S04N1L,LQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
65A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 300µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2550 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
107W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK+
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
TK65S04
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK65S04N1L,LQ(O
TK65S04N1LLQTR
TK65S04N1LLQDKR
TK65S04N1LLQCT
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SK3342(TE16L1,NQ)
MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD
DMN24H11DSQ-13
MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
TK5A45DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 4.5A TO220SIS
