Numărul de produs al producătorului:
TK65A10N1,S4X
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK65A10N1,S4X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 65A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
9 Piese Noi Originale În Stoc
12891004
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK65A10N1,S4X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5400 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
45W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
TK65A10
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK65A10N1,S4X(S
TK65A10N1S4X
TK65A10N1,S4X-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDPF045N10A
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
1000
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDPF045N10A-DG
PREȚ UNIC
1.73
TIP SUBSTITUT
Upgrade
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPCC8008(TE12L,QM)
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
TPH3R003PL,LQ
MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
TK8A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
